目前无线充电的 Qi 标准频率在 100-200k 之间。在这个频率下，纳米晶的磁导率非常接近钴基非晶的磁导率，明显高于铁基非晶和铁氧体的磁导率。相反，损耗明显低于铁基非晶和铁氧体。

纳米晶体在温度应用中也具有优势。纳米晶不仅在应用温度上比钴基非晶和铁氧体更宽，而且在-40℃-120℃体的范围内纳米晶的稳定性也明显优于铁氧体。

纳米晶体在磁性材料的设计上也有明显的优势。纳米晶体可以定向控制磁导率和抗饱和磁场。纳米晶的渗透率可在1000-30000范围内任意调节。磁性材料的设计要求在特定的工作电流下，不能达到磁饱和。一旦达到磁饱和，它将停止工作。纳米晶可调抗饱和磁场可达30~350A/m，使无线充电的应用范围更广。

几种铁基纳米晶与铁基非晶、钴基非晶和铁氧体的比较：饱和磁通密度：铁基纳米晶明显优于钴基，但略低于铁基非晶和铁氧体；

纳米晶在矫顽力、初始磁导率、饱和磁致伸缩系数、居里温度、性能变化率等方面均优于其他材料。因此，纳米晶是最好的软磁材料。

纳米晶的发展趋势

随着电子产品向高频化、节能化、小尺寸化、集成化方向发展，应用频率也越来越高，灯带也在一代代更新换代。从最初的厚度为22-30μm的传统制带工艺（目前国内生产水平），现在的胶带已经发展到第三代和第四代。先进的制带工艺（国际先进生产水平）可达到14-22μm。并掌握了更薄的制带技术。纳米晶带的发展趋势是超薄带。

超薄纳米晶焊带特性：焊带越薄，损耗越低。

改革了导磁片的量产工艺。自2015年导磁片量产以来，工艺不断变化，逐渐从片材过渡到线圈，大大提高了生产效率，满足了日益增长的需求。